[CHMOSE023]

v0.5.1 还没打标签，这个提交补进 v0.5.1：发布说明 docs/release-notes/v0.5.1.md 的"性能"一节已加一条、"开发与测试"已补上。

相关 issue #25（大图纸打开后显示慢）。PR #26 让大图纸先显示、边细分边画，但画全的总时间反而长了 20%～35%；这次让同一块定义只细分一次，抵回一部分。总时间仍比分帧以前长，所以不关闭 issue。

改动（ec64f99）

• 块定义级细分缓存（BlockTessCache）：InsertEntity::Draw 画每个阵列单元前问 IDrawSink::BeginBlockInstance，DrawContext 命中就把记下的结果经平移、旋转接上，不再克隆、逐个画块内子实体
  • 键：块定义；块参照的颜色、线型、线宽、图层（块内 ByBlock 与 0 层随它）；插入变换去掉旋转、平移后的部分（线型在变换之后按世界长度铺，缩放、镜像不同的不能共用）
  • 记录时按世界坐标双精度另记一份，接上时换到新位置再落成 float；区域覆盖在原来的位置调用 Wipe
  • 不记：按像素烘焙的、纹理文字、图像、绝对角度的线型符号、只展开一次的块
• 带裁剪框（XCLIP）的块参照里面也能用：ClipDrawSink 带上本层裁剪框转发
  • 记下的块整个在框内就原样接上，整个在框外就跳过，跨边照常逐个画
  • 框里也照常记录；裁剪框改动过内容时经 IDrawSink::NoteClipped 作废这次记录
• 与分帧细分配合：命中缓存时，分段的序号与进度跳过这个块，下一帧接着画的位置不受影响
• 不常驻内存：缓存只在分帧细分期间、一次全量拼接里保留，用完就清空；图纸有改动时也清空

效果（本机 GTX 1060 / D3D12，--bench，与旧版交替各跑两次）

图纸	画全：旧 → 新	打开到画全：旧 → 新
CK-05	2.32 → 2.15 s	3.3 → 3.1 s
CK-T	3.71 → 3.26 s	4.6 → 4.2 s

• 模型页、布局页截图与不缓存时逐字节相同。线顶点只差几个，看不出来：
  • 线长正好是线型周期整数倍时，末尾那段零长度的虚线有没有，取决于舍入；
  • 有些顶点的 Z 是 -0.0 还是 +0.0。
• 收益不大：重复多的是便宜的线、圆弧、多段线；贵的填充（每个约 40 µs）、单行文字（约 34 µs）几乎都只出现一次。

验证

• MiniCADTests 全部通过（1800 项）
  • 新增 BlockTessCacheTests：各种插入变换、ByBlock 与 0 层、嵌套、虚线、文字、区域覆盖；裁剪框内、框外、跨边；分段细分里命中缓存。均与不缓存时相同
  • ProgressiveBuildTests 加了同步细分开 / 关缓存的对比
• 桌面版 --selftest：新旧版都只有同样 3 项失败（拖动窗口跟着光标走，依赖真实鼠标），其余通过
• 网页版本机编译通过；Linux 版没编译

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